Laboratorio integrato per lo sviluppo di attrezzature avanzate e nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio (SiC)
(L.297/89 – Art 12 del DM 593 dell’8 Agosto 2000 – Laboratorio Pubblico - Privato – Codice Progetto DM23176)
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Epitaxial Technology Center (E.T.C.) srl
Istituto per la Microelettronica e i Microsistemi del Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR - IMM)
Centro Interuniversitario per la Formazione Internazionale (H2CU)
NUmerical Methods Implementation for Design of Industrial Applications (Nu.M.I.D.I.A.) srl
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Il progetto SiCilab ha come scopo la realizzazione di un Laboratorio integrato, a partecipazione pubblica-privata, sulle tecnologie del Carburo di Silicio (SiC).
In questo laboratorio si vogliono ampliare le competenze nel campo dei reattori per la sintesi del SiC, dei processi di crescita Bulk ed Epitassiali, delle tecniche avanzate di caratterizzazione dei wafer di SiC e delle simulazioni numeriche dei reattori e dei processi di crescita.
L’obiettivo principale dei prossimi anni è quello di produrre wafer di SiC di grandi dimensioni e con bassa difettosità.
Nell'ambito del Laboratorio SiCilab oltre a questa attività di ricerca, è prevista un'attività di formazione di Esperti nella crescita di semiconduttori ad alta gap.
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Progetto realizzato con il cofinanziamento dell’Unione Europea e dello Stato Italiano
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