Obiettivi
La Epitaxial Technology Center srl (E.T.C.), l'Istituto per la Microelettronica e i Microsistemi del Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR-IMM), il Centro Interuniversitario per la Formazione Internazionale H2CU, e la Nu.M.I.D.I.A. srl, hanno creato un Laboratorio Integrato (SiCilab) per lo sviluppo delle attrezzature a tecnologia avanzata per la produzione di wafer di Carburo di Silicio (SiC).
L’obiettivo è quello di integrare le competenze presenti in questi centri di ricerca pubblici e privati affinché si acceleri il processo di maturazione di tale tecnologia ritenuta strategica da tutta la comunità scientifica internazionale e dall’industria mondiale dei semiconduttori.
Gli enti proponenti, che hanno già ottenuto interessanti risultati in tale settore, sono pienamente convinti che tale aggregazione e le azioni di ricerca previste nel presente progetto di ricerca, permetteranno di superare molti degli attuali limiti tecnologici legati all’uso di tale materiale e far acquisire all’industria italiana una competitività tale da poter ritenere plausibile il raggiungimento di una leadership internazionale in tale settore.
Contesto
A Catania si è sviluppata negli ultimi anni una notevole competenza sul carburo di silicio grazie ai lavori di ricerca sviluppati all’interno del Dipartimento di Fisica dell’Università di Catania e dell’Istituto per la Microelettronica e i Microsistemi del Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR-IMM).
In seguito a questa attività si è sviluppata all’interno della ST Microelectronics (STM) la progettazione e lo sviluppo di diodi Schottky di potenza su carburo di silicio.
Nello stesso periodo è partita anche una notevole attività, ad opera della Epitaxial Technology Center (E.T.C.), in collaborazione con CNR-IMM, Università di Catania e Milano e la L.P.E., sulla crescita omo-epitassiale di carburo di silicio che ha ottenuto notevoli risultati a livello internazionale. Quest’azienda rappresenta, allo stato attuale, l’unica azienda europea che sviluppa processi di epitassia e relative camere di reazione.
Struttura del progetto
In questo Progetto di Ricerca vengono sviluppate tecnologie d’avanguardia per la messa a punto di macchine e processi per la crescita di fette di Carburo di Silicio, al fine di soddisfare le esigenze di un mercato emergente e di grande interesse che è quello delle applicazioni elettroniche nel campo dell’alta frequenza, dell’alta potenza e dell’elettronica di controllo.
Per il raggiungimento degli obiettivi del Laboratorio il Progetto di Ricerca e l’annesso Progetto di Formazione sono stati strutturati secondo il seguente schema (Organizzazione per Obiettivi):
Attività
Le Attività di Progetto sono finalizzate al raggiungimento di quattro Obiettivi Realizzativi (OR) così come riportato nel seguente Quadro Sinottico:
Quadro Sinottico Sintetico |
|
| OR 1 | Realizzazione di attrezzature avanzate per la produzione di wafer di carburo di silicio, caretterizzati da alta produttività ed efficienza |
| OR 2 | Studio di materiali e messa a punto di processi per la realizzazione di fette epitassiate di SiC su substrati di grandi dimensioni |
| OR 3 | Progettazione e realizzazione di strumenti software per la simulazione e ottimizzazione delle macchine e dei processi utili alla realizzazione di wafer di SiC |
| OR 4 | Realizzazione di un laboratorio avanzato per la caretterizzazione ed il controllo dei processi coinvolti nella fabbricazione di wafer SiC |
Sito
L’integrazione, oltre che nelle competenze, avviene anche fisicamente in quanto tutte le attività previste di ricerca e di formazione del SiCilab si svolgono all’interno di un unico laboratorio, sito nello stabilimento E.T.C., nella zona industriale di Catania.
Tale nuovo fabbricato ha una dimensione di circa 6.000 mq, ospita sia gli uffici amministrativi, sia l’R&D che le aree produttive della E.T.C., e rappresenta anche la sede del nuovo Laboratorio SiCilab: è localizzato in XVI STRADA S.N. FRAZIONE PANTANO D'ARCI - Z.I. - CATANIA (CT).