Esperto nella Caratterizzazione di materiali e processi per la crescita di semiconduttori innovativi
All’interno di questo percorso formativo verranno sviluppate competenze relative alla caratterizzazione dei substrati e delle fette epitassiate cresciute nei reattori sviluppati nel progetto di ricerca.
Le persone che seguiranno questo processo formativo dovranno raggiungere, alla fine di tale percorso, delle competenze su tutte le tecniche che verranno sviluppate per caratterizzare i substrati e le epitassie di carburo di silicio. In particolare dovranno avere competenze sulla caratterizzazione mediante diffrazione e spettroscopia X, sulla caratterizzazione ottica, elettrica e delle superfici. Tali caratterizzazioni dovranno permettere di ottimizzare i processi di crescita per cui dovranno essere sviluppate anche delle competenze sui processi di crescita dei substrati e delle epitassie.
